姓  名
王晓强
 
性  别
 
出生年月
1975年
 
职  称
讲师
 
E-mail
xqwang@mail.neuq.edu.cn
   
 
学习经历

1993—1997,兰州大学(物理系),学士
1999—2004,兰州大学(凝聚态物理半导体专业),博士

1奖项与荣誉
所教授的《大学物理》获2005年度河北省省级精品课。
1研究领域
主要从事太阳能电池材料、电子(纳米)薄膜/材料的制备、表面特性及相关领域的研究工作。
1研究内容
主要围绕“光电薄膜材料的制备与性能研究”以及“ 高折射率材料 ZrO 2 光子晶体的制备及特性研究 ”两个方面开展工作。
1研究项目

1.先后参加中国科学院九五重点项目基金资助课题“重离子注入聚合物材料改性研究”
2.国家自然科学基金项目“低温高密度等离子体的形成及其在硅薄膜生长中的应用”等项目。
3.秦皇岛市科学技术研究与发展指导计划项目 1项
4.河北省科学技术研究与发展指导计划项目 1项
5.曾参与中国加拿大高等教育项目资助材料科学翻译丛书《Fundamentals of semiconductors》和《Physics principles with applications》的翻译工作。
6.参编教材一部:教育部高等学校规划教材《计算机在材料科学与工程中的应用》

1代表性论文

科研成果已在国际学术杂志JKPS、国际会议SPIE、AMS等发表论文4篇,国内一级学术期刊《物理学报》、《真空科学与技术》以及国内会议MRS发表论文12篇。

1. 王晓强 等, “ 离子辐照对聚苯乙烯低温导电特性的影响 ”, 物理学报, 2002, Vol 5 , p 1094

2. X. Q. Wang et al. , “Optical and photoelectrical characterization of as-deposited and annealed PECVD polysilicon thin films”, A. V. Khomich, presented at International Conference of Micro- and Nanoelectronics, Moscow , October 2003 and accepted for publication in SPIE Proceedings

3. 王晓强 等, “ 电感耦合等离子体 CVD 室温制备的硅薄膜的结构研究 ”, 真空科学与技术学报, 2004. Vol 24 ( 6 ) p465

4 . 王晓强 等, “ 电感耦合等离子体 CVD 低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化 ” 物理学报, 2005. Vol 54(1) p269

5. X Q Wang et al. , “Structure and optical properties of Si films deposited by inductively coupled plasma CVD at room temperature”, Key Engineering Materials, 2007, Vol. 336~338, p 2228

6. X Q Wang et al ., “Al-induced crystallization during low-temperature deposition of Si films by inductively coupled plasma CVD”, D Y He, Journal of the Korean Physical Society, 2005, Vol. 46, p S88

7. Wang X Q et al. , “Electron field emission from nano-crystalline Si films deposited by inductively coupled plasma CVD at room temperature”, He D Y, Chinese Science Bulletin, 2006, Vol. 51, p 510

 

 
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